Manual de Seagate Nytro 4350

Modelos

Capacidad de usuario	Número de modelo
480 GB	XP480SE30001
960 GB	XP960SE30001
1920 GB	XP1920SE30001

Servicios de soporte técnico de Seagate Technology

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Introducción

El SSD Seagate Nytro 4350 es una solución de almacenamiento rápida y fiable para aplicaciones de arranque o cargas de trabajo con uso intensivo de lectura en centros de datos. El SSD Seagate Nytro 4350 ofrece una interfaz PCIe Gen 4 x 4 con compatibilidad con el protocolo NVMe en un formato M.2 pequeño.

Tabla 1 Características del SSD Nytro 4350

Característica	Descripción
Capacidad (Usuario)	480 GB, 960 GB, 1920 GB
Certificaciones, Cumplimiento ecológico	CE, UL, FCC, BSMI, KCC, Microsoft WHQL, VCCI, CB RoHS
Dimensiones	M.2 2280: 80 mm (± 0,15) x 22 mm (± 0,15) x 4 mm (± 0,08)
Resistencia	1 Drive Writes Per Day (DWPD)	Valor de resistencia válido para SSD Life Remaining > 1% (SMART E7h>1). Consulte la Sección Fiabilidad y resistencia.
Formato	M.2 2280
Cumplimiento de la interfaz	NVMe 1.4 PCI Express Base 4.0 PCIe Gen 4 x 4 lane y retrocompatible con PCIe Gen 3, Gen 2 y Gen 1 Se admiten 8 colas de E/S (1 cola de administración y 8 colas de E/S). Cada cola de E/S admite 256 entradas.
NAND	eTLC
Sistemas operativos	Windows 11 Pro (64 bit), Windows Server 2019, 2022 (64 bit) Ubuntu 20.04 CentOS 8
Rendimiento aleatorio	Lectura: Hasta 800 000 IOPS Escritura: Hasta 58 000 IOPS	El rendimiento real puede variar en función de las condiciones de uso y del entorno. Consulte la Sección Rendimiento.
Rendimiento secuencial	Lectura: Hasta 5500MB/s Escritura: Hasta 2000MB/s	El rendimiento real puede variar en función de la capacidad, las condiciones de uso y el entorno. Consulte la Sección Rendimiento.
Consumo de energía	Modo activo: < 11.5W Modo inactivo: < 3.3W	Los resultados varían según la capacidad y el modo. Consulte la Sección Consumo de energía.
Administración de energía	Admite la administración de energía de estado activo (ASPM)
Protección de datos por pérdida de alimentación	Las escrituras en curso en la NAND se completan en caso de una pérdida de alimentación inesperada
Fiabilidad	Protección de la ruta de datos de extremo a extremo MTBF: 2 millones de horas UBER: 1 error en 1017 bits leídos
Seguridad	TCG Pyrite 2.0
Choque y vibración	Choque No operativo: 1500 G, a 0,5 ms	Consulte la Sección Condiciones ambientales.
	Vibración No operativo: 1.52 GRMS, (20 a 800 Hz, frecuencia)
Rango de temperatura (en funcionamiento)	0°C a 70°C Sensor de temperatura (ID de atributo SMART C2h)
Voltaje	Mín. = 3,14 V Máx. = 3,47 V
Garantía	Cinco años, o cuando el dispositivo alcance el TBW del host, lo que ocurra primero. Valor de resistencia válido para SSD Life Remaining > 1% (SMART E7h>1).
Peso	9,7 a 10,5 g

Especificaciones

Modelos y capacidad

Tabla 2 Modelos y capacidad

Capacidad	Modelo	Sectores direccionables por el usuario
480 GB	XP480SE30001	937.703.088
960 GB	XP960SE30001	1.875.385.008
1920 GB	XP1920SE30001	3.750.748.848

NOTA
Acerca de la capacidad:

• Tamaño del sector: 512 bytes
• Recuento de LBA direccionables por el usuario = (97696368) + (1953504 x (capacidad deseada en Gb-50,0)). De la Asociación Internacional de Equipos y Materiales para Unidades de Disco (IDEMA) (LBA1-03_standard.doc)

Rendimiento

Tabla 3 Rendimiento de lectura y escritura aleatoria y secuencial

Parámetro	480 GB	960 GB	1920 GB
Lectura secuencial de 128 KB (MB/s)	5500	5500	5500
Escritura secuencial de 128 KB (MB/s)	700	1400	2000
Lectura aleatoria de 4 KB (IOPS)	400.000	600.000	800.000
Escritura aleatoria de 4 KB (IOPS)	17.000	34.000	58.000
Lectura aleatoria de 8 KB (IOPS)	230.000	330.000	460.000
Escritura aleatoria de 8 KB (IOPS)	9.000	18.000	30.000

NOTA
Acerca del rendimiento:

• El rendimiento puede variar según la versión de firmware, el hardware del sistema y la configuración del SSD.
• El rendimiento se mide con las siguientes condiciones
  1. Secuencial sostenido: FIO, rango completo, QD=32
  2. Aleatorio sostenido: FIO, rango completo, QD=32, 8 trabajadores

Latencia

Tabla 4 Latencia media aleatoria de 4 KB QD1

Capacidad	Lectura (4 KB)	Escritura (4 KB)
480 GB	75	40
960 GB	75	30
1920 GB	75	30

NOTA
Acerca de la latencia:

• El rendimiento puede variar según la configuración y la plataforma del flash.
• Las unidades están en microsegundos.

Calidad del servicio

Tabla 5 Calidad del servicio (QoS)

Capacidad	QoS (99%)
	Lectura (4 KB QD=1)	Escritura (4 KB QD=1)	Lectura (4 KB QD=32)	Escritura (4 KB QD=32)
	Unidad: µs
480 GB	100	60	350	1600
960 GB	100	50	300	970
1920 GB	100	50	250	850
Capacidad	QoS (99,99%)
	Lectura (4 KB QD=1)	Escritura (4 KB QD=1)	Lectura (4 KB QD=32)	Escritura (4 KB QD=32)
	Unidad: µs
480 GB	130	130	550	1500
960 GB	130	130	550	1300
1920 GB	130	130	450	1100

NOTA
Acerca de la QoS:

• La QoS se mide con las siguientes condiciones
  Prueba FIO: tamaño de transferencia de 4 KB, QD=1 o 32 en carga de trabajo de lectura y escritura aleatoria de 4 KB en todo el rango LBA del rendimiento del SSD en estado estable y todas las operaciones en segundo plano se ejecutan normalmente.
• De acuerdo con las cargas de trabajo aleatorias de 4 KB QD=1 y 32, el resultado de la QoS es el tiempo máximo de ida y vuelta que se tarda para el 99,0% y el 99,99% de los comandos al host.
• La QoS puede variar según la versión de firmware, el hardware del sistema y la configuración del SSD.

Tensión de alimentación

Tabla 6 Tensión de alimentación

Parámetro	Clasificación
Tensión de funcionamiento	Mín. = 3,14 V Máx. = 3,47 V
Tiempo de subida (máx./mín.)	100 ms / 0,1 ms
Tiempo de bajada (máx./mín.)	1 s / 10 ms
Tiempo de desconexión mínimo	1 s

NOTA
El tiempo de desconexión mínimo es el tiempo entre el momento en que se retira la alimentación del SSD (Vcc<100 mW) y el momento en que se vuelve a aplicar la alimentación al SSD.

Consumo de energía

Tabla 7 Consumo de energía

	480 GB	960 GB	1920 GB
Lectura activa (RMS, máx.)	9,4 W	10,4 W	11,55 W
Escritura activa (RMS, máx.)	6,3 W	8,1 W	10,7 W
Inactivo	3,3 W	3,3 W	3,3 W

NOTA
Acerca del consumo de energía:

• La tensión de alimentación medida es de 3,3 V.
• El consumo de energía se mide durante la lectura y escritura secuencial/aleatoria realizada por FIO en Linux.
• El consumo de energía puede variar según la versión de firmware, el hardware del sistema y la configuración del SSD.

Condiciones ambientales

Tabla 8 Temperatura, humedad, choque

Especificación		Valor
Temperatura	Temperatura de funcionamiento (con flujo de aire: 800 LFM a 35 °C)	0 °C a 70 °C
	No operativo	-40 °C a 85 °C
Humedad	Funcionamiento	90%
	No operativo (almacenamiento)	93%
Choque No operativo		1.500 G, duración 0,5 ms
Vibración No operativo		1,52 GRMS, (20 Hz a 80 Hz, frecuencia)

NOTA
Temperatura se mide sin condensación.
La temperatura del modo de funcionamiento se mide mediante un sensor de temperatura, atributo SMART C2h.
Se sugiere el flujo de aire. El flujo de aire permite que el dispositivo funcione a la temperatura adecuada para cada componente durante entornos de cargas de trabajo pesadas.

NOTA
Los resultados de choque y vibración suponen que el SSD está montado de forma segura con la vibración de entrada aplicada al montaje del SSD. Estas especificaciones no cubren los problemas de conexión que puedan derivarse de las pruebas a este nivel. La especificación medida está en forma de raíz cuadrática media (RMS).

• Choque no operativo. Los límites de choque no operativo se aplican a todas las condiciones de manipulación y transporte. Esto incluye tanto SSD aislados como SSD integrados. El choque puede aplicarse en el eje X, Y o Z.
• Vibración no operativa. Los límites de vibración no operativa se aplicarán a todas las condiciones de manipulación y transporte. Esto incluye tanto SSD aislados como SSD integrados. La vibración puede aplicarse en el eje X, Y o Z.

Fiabilidad y resistencia

Tabla 9 Fiabilidad y resistencia

Especificación	Valor
Tiempo medio entre fallos (MTBF)	2 millones de horas
Tasa de error de bits	1 error en 1017 bits leídos
Resistencia	480GB: 936TB 960GB: 1890TB 1920GB: 3800TB

NOTA
Acerca de la resistencia:

• El SSD alcanza el MTBF especificado en un entorno operativo que cumple con el rango de temperatura operativa especificado en este manual. Las temperaturas de funcionamiento se miden mediante un sensor de temperatura, ID de atributo SMART C2h.
• Clasificación de resistencia válida para SSD Life Remaining > 1% (SMART E7h>1).
• La resistencia se caracteriza al ejecutar la carga de trabajo empresarial JEDEC (JESD219).

Dimensiones y peso

Tabla 10 Dimensiones y peso

Capacidad	Peso	Longitud	Anchura	Altura
480GB	9,7 g	80 mm ± 0,15 mm	22 mm ± 0,15 mm	4 mm ± 0,08 mm Parte superior del componente, máx.: 1,6 mm Parte inferior del componente, máx.: 1,6 mm
960GB	10,3 g
1920GB	10,5 g

Consulte las figuras 1-3.

Descripciones de pines y señales

Tabla 11 Descripciones de los pines

N.º de pin	Pin PCIe	Descripción
1	GND	CONFIG_3=GND
2	3.3V	Fuente de 3,3 V
3	GND	Tierra
4	3.3V	Fuente de 3,3 V
5	PETn3	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
6	N/C	Sin conexión
7	PETp3	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
8	N/C	Sin conexión
9	GND	Tierra
10	LED1#	Drenaje abierto, señal activa baja. Estas señales se utilizan para permitir que la tarjeta adicional proporcione indicadores de estado a través de dispositivos LED que serán proporcionados por el sistema.
11	PERn3	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
12	3.3V	Fuente de 3,3 V
13	PERp3	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
14	3.3V	Fuente de 3,3 V
15	GND	Tierra
16	3.3V	Fuente de 3,3 V
17	PETn2	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
18	3.3V	Fuente de 3,3 V
19	PETp2	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
20	N/C	Sin conexión
21	GND	Tierra
22	N/C	Sin conexión
23	PERn2	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
24	N/C	Sin conexión
25	PERp2	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
26	N/C	Sin conexión
27	GND	Tierra
28	N/C	Sin conexión
29	PETn1	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
30	N/C	Sin conexión
31	PETp1	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2
32	N/C	Sin conexión
33	GND	Tierra
34	N/C	Sin conexión
35	PERn1	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
36	N/C	Sin conexión
37	PERp1	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
38	N/C	Sin conexión
39	GND	Tierra
40	SMB_CLK (E/S)(0/1.8V)	Reloj SMBus; drenaje abierto con resistencia pull-up en la plataforma.
41	PETn0	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
42	SMB_DATA (E/S)(0/1.8V)	Datos SMBus; drenaje abierto con resistencia pull-up en la plataforma.
43	PETp0	Señal diferencial TX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
44	ALERT#(O) (0/1.8V)	Notificación de alerta al maestro; drenaje abierto con resistencia pull-up en la plataforma; activo bajo.
45	GND	Tierra
46	N/C	Sin conexión
47	PERn0	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
48	N/C	Sin conexión
49	PERp0	Señal diferencial RX PCIe definida por la especificación PCI Express M.2.
50	PERST#(I)(0/3. 3V)	PE-Reset es un restablecimiento funcional de la tarjeta tal como se define en la especificación PCIe Mini CEM.
51	GND	Tierra
52	CLKREQ#(I/O) (0/3.3V)	Clock Request es una señal de solicitud de reloj de referencia tal como se define en la especificación PCIe Mini CEM; también utilizada por los subestados L1 PM.
53	REFCLKn	Señales de reloj de referencia PCIe (100 MHz) definidas por la especificación PCI Express M.2.
54	PEWAKE#(I/O) (0/3.3V)	PCIe PME Wake. Drenaje abierto con pull up en la plataforma; activo bajo.
55	REFCLKp	Señales de reloj de referencia PCIe (100 MHz) definidas por la especificación PCI Express M.2.
56	Reserved for MFG DATA	Línea de datos de fabricación. Utilizada solo para la fabricación de SSD. No se utiliza en el funcionamiento normal. Socket de la plataforma.
57	GND	Tierra
58	Reserved for MFG CLOCK	Línea de reloj de fabricación. Utilizada solo para la fabricación de SSD. No se utiliza en el funcionamiento normal. Los pines deben dejarse N/C en el socket de la plataforma.
59	Module Key M	Llave del módulo
60	Module Key M
61	Module Key M
62	Module Key M
63	Module Key M
64	Module Key M
65	Module Key M
66	Module Key M
67	N/C	Sin conexión
68	SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V)	Entrada de alimentación de reloj de 32,768 kHz que proporciona el chipset de la plataforma para reducir la potencia y el coste del módulo.
69	N/C	PEDET (NC-PCIe)
70	3.3V	Fuente de 3,3 V
71	GND	Tierra
72	3.3V	Fuente de 3,3 V
73	GND	Tierra
74	3.3V	Fuente de 3,3 V
75	GNDZD	Tierra

Compatibilidad con SMART

El SSD Nytro 4350 es compatible con el conjunto de comandos SMART.

ID de SMART
La siguiente tabla enumera los ID de SMART y sus descripciones.
Tabla 12 Atributos de SMART (Identificador de registro 02h)

Índice de bytes	Bytes	Descripción
[0]	1	Advertencia crítica
[2:1]	2	Temperatura compuesta
[3]	1	Repuesto disponible
[4]	1	Umbral de repuesto disponible
[5]	1	Porcentaje utilizado
[31:6]	26	Reservado
[47:32]	16	Unidades de datos leídas
[63:48]	16	Unidades de datos escritas
[79:64]	16	Comandos de lectura del host
[95:80]	16	Comandos de escritura del host
[111:96]	16	Tiempo de ocupación del controlador
[127:112]	16	Ciclos de alimentación
[143:128]	16	Horas de encendido
[159:144]	16	Apagados no seguros
[175:160]	16	Errores de integridad de medios y datos
[191:176]	16	Número de entradas de registro de información de error
[195:192]	4	Tiempo de temperatura compuesta de advertencia
[199:196]	4	Tiempo de temperatura compuesta crítica
[201:200]	2	Sensor de temperatura 1 (temperatura actual)
[203:202]	2	Sensor de temperatura 2 (N/A)
[205:204]	2	Sensor de temperatura 3 (N/A)
[207:206]	2	Sensor de temperatura 4 (N/A)
[209:208]	2	Sensor de temperatura 5 (N/A)
[211:210]	2	Sensor de temperatura 6 (N/A)
[213:212]	2	Sensor de temperatura 7 (N/A)
[215:214]	2	Sensor de temperatura 8 (N/A)
[511:216]	296	Reservado

NOTA
(Opcional) Información contextual para el identificador de registro 02h:

• Advertencia crítica [Byte 0]. Este campo indica advertencias críticas para el estado del controlador.
  Bit#0: El repuesto disponible está por debajo del umbral
  Bit#1: La temperatura ha superado el umbral o está por debajo de un umbral de baja temperatura
  Bit#2: La fiabilidad se ha degradado debido a errores internos o de medios excesivos
  Bit#3: El medio se ha colocado en modo de solo lectura
  BIt#4: El dispositivo de copia de seguridad de la memoria volátil ha fallado
  Bit#5 - Bit#7: Reservado
• Repuesto disponible [Byte 3]. Este valor (porcentaje) = 100* [(VB total reservado - VB consumido causado por malo temprano, posterior)/ VB total reservado]
• Porcentaje utilizado [Byte 5]. Este valor (porcentaje) = 100* (recuento total de borrado de VB/ ciclo PE para VB total).

Detalles de las características

Administración de memoria flash

Código de corrección de errores

Las celdas de memoria flash se deterioran con el uso. Esto puede generar errores de bits aleatorios en los datos almacenados. El SSD Nytro 4350 aplica el algoritmo LDPC ECC para detectar y corregir los errores que se producen durante el proceso de lectura, para asegurarse de que el SSD lee correctamente y para proteger los datos de la corrupción.

Nivelación de desgaste

Los dispositivos de memoria flash NAND solo pueden someterse a un número limitado de ciclos de programación/borrado. Comúnmente, el SSD no utiliza las áreas de los medios flash de manera uniforme. Si el SSD actualiza algunas áreas con más frecuencia que otras, esto reduce la vida útil del dispositivo. La nivelación de desgaste extiende la vida útil de la memoria flash NAND al distribuir uniformemente los ciclos de escritura y borrado en los medios.
El algoritmo avanzado de nivelación de desgaste de Seagate distribuye el uso de la memoria flash por toda el área de medios flash. La implementación de algoritmos de nivelación de desgaste dinámicos y estáticos mejora la esperanza de vida de la memoria flash NAND.

Administración de bloques defectuosos

Los bloques defectuosos no funcionan correctamente y pueden contener más bits no válidos. Esto puede hacer que los datos almacenados sean inestables y la fiabilidad de los bloques defectuosos no está garantizada. Los bloques identificados y marcados como defectuosos por el fabricante se denominan "bloques defectuosos iniciales". Los bloques defectuosos que se desarrollan durante la vida útil de la memoria flash se denominan "bloques defectuosos posteriores". El algoritmo de administración de bloques defectuosos de Seagate detecta los bloques defectuosos producidos en fábrica y administra los bloques defectuosos que aparecen con el uso. Esta práctica evita que la unidad almacene datos en bloques defectuosos y mejora la fiabilidad de los datos

TRIM

La función TRIM mejora el rendimiento de lectura/escritura y la velocidad de los SSD. Los SSD no pueden sobrescribir los datos existentes, por lo que el espacio disponible se reduce con cada uso de bloque de datos. El comando TRIM se ejecuta dentro del sistema operativo para indicarle al SSD qué bloques de datos se pueden eliminar permanentemente porque ya no están en uso. El SSD borra estos bloques de datos no utilizados.

SMART

SMART, significa Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology (tecnología de automonitorización, análisis e informes). SMART es un estándar abierto que permite que un SSD detecte automáticamente su estado y notifique posibles fallos. Cuando SMART registra un fallo, los usuarios pueden reemplazar el SSD para evitar una interrupción inesperada o la pérdida de datos. SMART también puede informar a los usuarios de fallos inminentes mientras todavía hay tiempo para copiar los datos a otro dispositivo.

Aprovisionamiento excesivo

El aprovisionamiento excesivo (OP) conserva un área adicional más allá de la capacidad del usuario en un SSD, que no es visible para los usuarios y no puede ser utilizada por ellos. OP mejora el rendimiento y las IOPS (operaciones de entrada/salida por segundo) al proporcionar al controlador espacio adicional para administrar los ciclos P/E. OP también mejora la fiabilidad y la resistencia. Además, la amplificación de escritura del SSD se reduce cuando el controlador escribe datos en la memoria flash.

Actualización de firmware

El firmware proporciona un conjunto de instrucciones sobre cómo el dispositivo se comunica con el host. Las actualizaciones de firmware suelen estar disponibles con funciones añadidas, problemas de compatibilidad solucionados y rendimiento de lectura/escritura mejorado.

Limitación térmica

La limitación térmica evita que los componentes de un SSD se sobrecalienten durante las operaciones de lectura y escritura. El diseño del SSD Nytro 4350 proporciona un sensor térmico en el chip y en la placa. Con esta precisión, el firmware puede aplicar diferentes niveles de limitación para proteger de manera eficiente y proactiva a través de la lectura SMART.

Tabla 13 Versión actual: Limitación térmica 2.0

Elemento	Contenido
Temperatura de notificación inteligente	Temperatura de la carcasa normalizada del flash
Referencia de lectura de temperatura	Sensor térmico en placa, sensor térmico en chip del controlador
Umbral tmt1	76 °C por informe inteligente
Umbral tmt2	79 °C por informe inteligente
Proteger el umbral del controlador	115 °C del sensor térmico en chip
Umbral fatal	120 °C del sensor térmico en chip
Umbral de reanudación del rendimiento	72 °C por informe inteligente
Frecuencia de sondeo de temperatura	Cada 1 segundo
Impacto del estado TMT1_state	±10 % CE
Impacto del estado TMT2_state	-20 % CE

Múltiples espacios de nombres

Un espacio de nombres NVMe es una cantidad de memoria no volátil (NVM) que se puede formatear en bloques lógicos.
Los espacios de nombres se utilizan cuando se configura una máquina virtual de almacenamiento con el protocolo NVMe. El SSD Nytro 4350 admite hasta 16 espacios de nombres para una mayor flexibilidad de implementación.

Recolección de basura

La recolección de basura asigna y libera memoria para acelerar el procesamiento de lectura/escritura y mejorar el rendimiento. Cuando hay menos espacio disponible, el SSD ralentiza el procesamiento de lectura/escritura e implementa la recolección de basura para liberar memoria.

Funciones avanzadas de seguridad del dispositivo

Borrado seguro

El borrado seguro es un comando de formato NVMe estándar y escribe todo "0x00" para borrar completamente todos los datos en discos duros y SSD. Cuando se emite este comando, el controlador SSD borra sus bloques de almacenamiento y vuelve a su configuración predeterminada de fábrica.

SID de presencia física

TCG define Physical Presence SID (PSID) como una cadena de 32 caracteres. PSID revierte el SSD a su configuración de fabricación cuando el SSD se establece a través de TCG Pyrite (no SED). El código PSID está impreso en la etiqueta del SSD. PSID borra todos los datos al revertir el SSD a la configuración de fábrica.

Sanitizar

La función Sanitize utiliza el comando Format NVM para proporcionar una alternativa a las capacidades de borrado seguro existentes. Esta función proporciona una seguridad de datos robusta al asegurarse de que los datos del usuario de los medios SSD, las cachés y el búfer de memoria del controlador se borran mediante las operaciones de borrado de bloques, sobrescribiendo o destruyendo la clave de cifrado. La siguiente tabla muestra los tipos de operaciones de Sanitize admitidas.

Tabla 14 Operaciones de Sanitize

Tipo de seguridad SSD	Operación de Sanitize			Comandos TCG
	Sobrescribir	Borrado de bloques	Borrado criptográfico	Proceso de reversión de PSID	Borrado de seguridad instantáneo
No SED (TCG Pyrite)	Sí	Sí	No	Sí	No

NOTA
El comando Sanitize Overwrite borra todos los datos del disco más allá de todo esfuerzo factible para recuperarlos. La finalización tarda al menos una hora por terabyte por pasada. El número de pasadas se puede seleccionar en la unidad. El valor predeterminado de la especificación NVMe es 16 pasadas. Póngase en contacto con el soporte de Seagate para obtener información más detallada.

Administración de la vida útil del SSD

Escrituras de unidad por día (DWPD) La especificación de bytes totales escritos (TBW) de un SSD calcula cuántas veces puede escribir la capacidad de usuario de un SSD por día durante el período de garantía (o un número diferente de años), según la carga de trabajo JEDEC utilizada para especificar el TBW.
DWPD = (TBW de un SSD x 1024) / (Días de garantía x Tamaño del SSD en GB)

TBW mide la vida útil del SSD. Esta medida representa la cantidad de datos escritos en el dispositivo. Para calcular el TBW de un SSD, utilice la siguiente ecuación:
TBW = [(Resistencia NAND) x (Capacidad del SSD)] / [WAF]

Resistencia NAND: La resistencia NAND se refiere al ciclo P/E (Program/Erase) de una memoria flash NAND.

Capacidad del SSD: La capacidad del SSD es la capacidad específica en total de un SSD.

WAF: El factor de amplificación de escritura (WAF) es un valor numérico. Este valor representa la relación entre la cantidad de datos que un controlador SSD necesita escribir y la cantidad de datos que escribe el controlador flash del host. Un WAF, cerca de 1, garantiza una mejor resistencia y una menor frecuencia de datos escritos en la memoria flash.
El TBW en este documento se basa en la carga de trabajo JEDEC 218/219.

Indicador de desgaste del medio

El byte de atributo SMART índice [5], porcentaje usado, informa el indicador de vida real. Reemplace el SSD cuando este número alcance el 100 %.

Modo de solo lectura

(Fin de vida útil)
Cuando los ciclos de programación/borrado envejecen el SSD, el desgaste del medio puede causar un número creciente de bloques defectuosos. Cuando el número de bloques buenos utilizables es menor que el umbral (5 %, ID de registro de atributo SMART 02h Byte4), el SSD notifica al host a través de un evento AER y una advertencia crítica para ingresar al modo de solo lectura para evitar una mayor corrupción de datos. Cuando esto sucede, reemplace el SSD inmediatamente.

Enfoque adaptativo para la optimización del rendimiento

Predecir y buscar

Cuando el host intenta leer datos del SSD, el SSD realiza solo una acción de lectura después de recibir un comando. Sin embargo, el SSD Nytro 4350 aplica Predict and Fetch para mejorar la velocidad de lectura. Cuando el host emite comandos de lectura secuenciales al SSD, el SSD espera que los siguientes también sean comandos de lectura. Por lo tanto, antes de recibir el siguiente comando, la memoria flash ha preparado los datos. Esto acelera el tiempo de procesamiento de datos y el host necesita menos tiempo de espera para recibir los datos.

Rendimiento

Según el espacio disponible del SSD, el SSD Nytro 4350 regula la velocidad de lectura/escritura y administra el rendimiento del rendimiento. Cuando el SSD tiene más espacio, el firmware realiza continuamente acciones de lectura/escritura. Cuando el SSD tiene menos espacio disponible, ralentiza el procesamiento de lectura/escritura e implementa la recolección de basura para liberar memoria.

Precauciones de instalación

Precauciones de manipulación

Hay muchos componentes ensamblados en un solo dispositivo SSD. Manipule la unidad con cuidado, especialmente cuando tenga componentes WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging), como PMIC, sensor térmico o interruptor de carga. WLCSP es una de las tecnologías de empaquetado que se adopta ampliamente para hacer huellas más pequeñas, pero cualquier golpe o rasguño puede dañar esas piezas ultrapequeñas, por lo que se recomienda una manipulación suave.

NO DEJE CAER EL SSD
INSTALE EL SSD CON CUIDADO
GUARDE EL SSD EN UN PAQUETE ADECUADO

Precauciones de montaje

El SSD M Key M.2 (Figura 1) solo es compatible con el zócalo M Key (Figura 2). Como se muestra en el caso de uso 2, el uso indebido puede causar daños graves al SSD, incluido el agotamiento.

Seagate Technology LLC
AMERICAS
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